Technische Universität Wien (TU Wien)
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Kurzbeschreibung
Die "FEI Dual-Beam FIB Quanta 200 3D" ist eine Kombination aus Rasterelektronenmikroskop und Focused-Ion-Beam Gerät. Mittels fokussiertem Ga-Ionenstrahl kann die Probenoberfläche manipuliert werden. Das Gerät ist mit Röntgendetektor, LN2-Cryostage, EBSD Detektor, Mikromanipulatoren zur TEM Probenpräparation sowie Gasinjektionssystemen zur Metallabscheidung ausgestattet. Die Dual Beam FIB ist weiters mit einem integrierten AFM-Modul ausgestattet und erlaubt daher Abbildung, chemische Analyse und AFM Untersuchungen von denselben Probenstellen in einem einzigen Gerät. Untersuchungen können im Hochvakuum, Low-Vakuum-Modus und ESEM Modus (bis 40 mbar) durchgeführt werden.
Ansprechperson
Dipl.Ing. Andreas Steiger-Thirsfeld
Research Services
Die Forschungs-Facility USTEM ist die zentrale Einrichtung der TU Wien für analytische und hochauflösende elektronenmikroskopische Untersuchungen. USTEM unterstützt Angehörige der TU Wien oder von anderen Forschungseinrichtungen bei der Durchführung von Projekten im Rahmen der Forschungsförderung oder Auftragsforschung und bietet Dienstleistungen für Firmen oder externen Kunden mit Operatorunterstützung. Die Schwerpunkte von USTEM sind Transmissionselektronenmikroskopie (TEM), Rasterelektronenmikroskopie (SEM) und Focused Ion Beam (FIB) Anwendungen.
Spezielle Services an der FEI Dual Beam FIB Quanta 200 3D:
- Chemische Nanoanalytik (100 µm - 10 nm)
- Strukturanalyse bis in den nm-Bereich
- 3D Tomographie für Life Sciences
- Zielpräparation für die Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) mit nm-Präzision
- 3D in-situ Analyse von Defekten oder Testbereichen in Metallen, Halbleitern und Keramiken
- Präparation und Analyse von porösen Materialien
- Präparation und Analyse von Proben bei tiefen Temperaturen auf der Cryostage
- Probenpräparation, -charakterisierung und -analyse bei Drücken bis zu 2600 Pa und hohen Luftfeuchtigkeiten
- Aufladungsfreie Abbildung von nichtleitenden Proben im Niedervakuum Bereich bis 130 Pa
- Defect repair in Halbleiterstrukturen
- Nanomachining: Aufbau von Strukturen im Nanometerbereich durch Abscheidung von Material aus der Gasphase im Ionen- oder Elektronenstrahl
- Nanostrukturierung: z.B. Herstellung von Cantilevers, Pillars etc. für mechanical testing mittels Picoindenter
Methoden & Expertise zur Forschungsinfrastruktur
- Chemische Nanoanalytik (100 µm - 10 nm); Strukturanalyse bis in den nm-Bereich; 3D Tomographie für Life Sciences
- Zielpräparation für die Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) mit nm-Präzision
- 3D in-situ Analyse von Defekten oder Testbereichen in Metallen, Halbleitern und Keramiken
- Präparation und Analyse von porösen Materialien
- Präparation und Analyse von Proben bei tiefen Temperaturen auf der Cryostage Probenpräparation, -charakterisierung und -analyse bei Drücken bis zu 2600 Pa und hohen Luftfeuchtigkeiten
- Aufladungsfreie Abbildung von nichtleitenden Proben im Niedervakuum Bereich bis 130 Pa
- Defect repair in Halbleiterstrukturen; Nanomachining, Aufbau von Strukturen im Nanometerbereich durch Abscheidung von Material aus der Gasphase im Ionen- oder Elektronenstrahl
- In-situ AFM Modul (AFM Untersuchung, Imaging und chemische Analyse in einem Gerät)
Zuordnung zur Core Facility
CERN
crystalsol GmbH
Carinthian Tech Research AG
ON Semiconductor (Formerly Fairchild)
Infineon Technologies Austria AG
KAI GmbH
Universität Wien, Institut für Werkstoffwissenschaft und Werkstofftechnologie
Miba AG
STRONG Ges.m.b.H.
Universität Innsbruck
Montanuniversität Leoben
Universität Bielefeld
Diffusion parameters of grain-growth inhibitors inWC based hardmetals with co, Fe/Ni and Fe/Co/Ni binder alloys. (2015). Buchegger, C., Lengauer, W., Bernardi, J., Gruber, J., Ntaflos, T., Kiraly, F., & Langlade, J. International Journal of Refractory Metals and Hard Materials, 49(1), 67-74. doi:10.1016/j.ijrmhm.2014.06.002