Feldemissions-Rasterelektronenmikroskop FEI Quanta 250 FEG

Technische Universität Wien (TU Wien)

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Großgerät

Kurzbeschreibung

Das "Quanta 250 FEG" ist ein hochauflösendes analytisches Feldemissionsrasterelektronenmikroskop für Abbildung mittels Sekundär- und Rückgestreuten Elektronen sowie im Raster-Transmissionsmodus (STEM). Die Beschleunigungsspannung können von 30 kV bis zu einigen 100 V (durch Beam Decelleration) variiert werden.

Das Gerät ist mit einem SDD Röntgendetektor sowie einer schnellen Hikari EBSD Kamera für Strukturanalyse durch Electron Backscatter Diffraction (EBSD) und Transmission Kikuchi Diffraction (TKD) ausgestattet.

Untersuchungen können im Hochvakuum, Low-Vakuum-Modus und ESEM Modus (bis 40 mbar z.B. zur Beobachtung von Flüssigkeiten) durchgeführt werden.

Zusatzgeräte:
Heating-Stage bis 1000 °C und Peltier-Stage
Nanomanipulatoren mit Low Current Measurement Kit und Kraftmess-Sensoren
In-situ AFM Modul "AFSEM" (AFM Untersuchung, Imaging und chemische Analyse in einem Gerät)
Pikoindenter-System Hysitron

Ansprechperson

Ass.Prof.Dipl.Ing.Dr. Johannes Bernardi

Research Services

Die forschungs_Facility USTEM ist die zentrale Einrichtung der TU Wien für analytische und hochauflösende elektronenmikroskopische Untersuchungen.
USTEM unterstützt Angehörige der TU Wien oder von anderen Forschungseinrichtungen bei der Durchführung von Projekten im Rahmen der Forschungsförderung oder Auftragsforschung und bietet Dienstleistungen für Firmen oder externen Kunden mit Operatorunterstützung.
Die Schwerpunkte von USTEM sind Transmissionselektronenmikroskopie (TEM), Rasterelektronenmikroskopie (SEM) und Focused Ion Beam (FIB) Anwendungen.

Spezielle Services an dem Quanta 250 FEG:
- Hochauflösende rasterelektronenmikroskopische Untersuchungen
- chemische Röntgenmikroanalyse
- Strukturuntersuchungen mit EBSD
- Untersuchung von nichtleitenden Proben im Niedervakuumbereich
- Untersuchung von feuchten Proben bei Drücken bis 4000 Pa
- in-situ AFM Untersuchungen
- Pikoindenter Messungen

Methoden & Expertise zur Forschungsinfrastruktur

Hochauflösende rasterelektronenmikroskopische Untersuchung; chemische Röntgenmikroanalyse; Strukturuntersuchungen mit EBSD; Untersuchung von nichtleitenden Proben im Niedervakuumbereich; Untersuchung von feuchten Proben bei Drücken bis 4000 Pa

Ass.Prof.Dipl.Ing.Dr. Johannes Bernardi
Uni ServEinr f Transmiss-Elektrmikrosk.
01-58801-45210
bernardi@ustem.tuwien.ac.at
http://www.ustem.tuwien.ac.at
Im Allgemeinen werden die Untersuchungen durch Mitarbeiter von USTEM durchgeführt. Angehörige der TU Wien können jedoch die Geräte für ihre Lehre und für die Durchführung von Forschungsprojekten auch selbständig nach Einweisung und erfolgreicher Absolvierung eines Kurses benutzen.
AC2T research GmbH - Österreichisches Kompetenzzentrum für Tribologie
BonAgro GmbH
CERN
GILDEMEISTER energy solutions GmbH
Vienna Biocenter Core Facilities GmbH (VBCF)
Carinthian Tech Research AG
EVVA Sicherheitstechnologie GmbH
ON Semiconductor (Formerly Fairchild)
mfTEC Fasching KG
CB Feuerfest GmbH
Gabriel-Chemie GmbH
Habich GmbH
Universität Wien, Institut für Hochenergiephysik
IMS Nanofabrication AG
Leica Mikrosysteme GmbH ??
Münze Österreich AG
Fried.v.Neuman GmbH
DI Arno Rettensteiner, Zivilingenieur für Technische Chemie
STRABAG AG
Trenka GmbH
Universität Wien
Veterinärmedizinische Universität Wien
Xilicate GmbH
Medizinische Universität Wien, Univ. Zahnkliniken Wien
Universität Innsbruck
Hydrogen oxidation on stepped rh surfaces: µm-scale versus nanoscale. (2016). Datler, M., Bespalov, I., Buhr, S., Zeininger, J., Stöger-Pollach, M., Bernardi, J., . . . Suchorski, Y. Catalysis Letters, 146(10), 1867-1874. doi:10.1007/s10562-016-1824-4

Mechanism of rare earth incorporation and crystal growth of rare earth containing type-I clathrates. (2016). Prokofiev, A., Svagera, R., Waas, M., Weil, M., Bernardi, J., & Paschen, S. Crystal Growth and Design, 16(1), 25-33. doi:10.1021/acs.cgd.5b00461

Microstructural investigation of interfacial features in al wire bonds. (2012). Khatibi, G., Weiss, B., Bernardi, J., & Schwarz, S. Journal of Electronic Materials, 41(12), 3436-3446. doi:10.1007/s11664-012-2215-2