Kurzbeschreibung
AT&S hat eine physikalische Dünnschichtanlage Clusterline 600 von Evatec angeschafft. Diese Anlage ermöglicht es AT&S und Ihnen, in die Welt der Halbleiterprozesse einzutauchen. Diese Prozesstechnologie ist so neuartig, dass AT&S derzeit der einzige europäische Leiterplatten- und IC-Substrat-Hersteller ist, der eine solche Anlage betreibt. Die neue Technologie wird zur Entwicklung von Next-Generation IC-Substraten, neuartigen Einbettungskonzepten, heterogener Integration, Advanced Packaging sowie FO-PLP (Fan-Out – Panel Level Packaging) verwendet.
Die PVE/PVD Anlage in Kürze:
+ Substratgrößen von Coupons (3×3 cm) bis zu 625x625mm
+ Titanabscheidung: 25-100 nm
+ Kupferabscheidung: 25-300 nm
+ Materialien: FR4 und Folien (z.B. Polyimid, ABD, …)
Zweck:
+ Beschichtung von dielektrischem Leiterplattenmaterial mit Titan und Kupfer
+ Ankontaktierung von eingebetteten Komponenten (keine Kupferterminierung auf der Front/Back Seite) ohne Laserbohrungen.
+ Reaktiv-Ätzen
+ Beschichten von z-Achsen Verbindungen von Next Generation Leiterplatten/IC-S Dielektrika
Ansprechperson
Gernot Schulz
Research Services
Sie haben eine Idee? Dann nutzen Sie die einmalige Gelegenheit, Versuche mit einer völlig neuen, noch nicht in der Leiterplatten/IC-S Industrie etablierten Technologie durchzuführen. Die Dünnschichtabscheidung ist aus der Halbleiter-, Optischen- und Tribologischen Welt nicht mehr wegzudenken. Sie haben jetzt die Möglichkeit, diese neuen Konzepte vorab zu testen.
Die Testmöglichkeiten umfassen Versuche auf:
+ Vakuumtauglichkeit der angedachten Materialien für Ihre Applikation
+ Dünnschichtbeschichtungen auf neuartige Leiterplattenmaterialien bzw. eingebettete Komponenten
Methoden & Expertise zur Forschungsinfrastruktur
Primär wird das Equipment in der Elektronikindustrie eingesetzt. Die physikalische Dünnschichtanlage dient zum Abscheiden von Metallen, in diesem Fall werden Titan (als Haftvermittler) und Kupfer abgeschieden. Die Schichtdicken dieser Schichten betragen zwischen 50 nm und 300 nm. Die physikalische Dünnschichtanlage kann in einem speziellen Modul auch für Plasmaätzprozesse eingesetzt werden. Dazu wird dem Plasma eine Ätzkomponente zugeführt, die den Abtrag von organischem Material notwendig ist.
Prinzipiell gelten die Geschäftsbedingung und Konditionen i.d.g.F von AT&S. Es können auch individuelle Bedingungen und Konditionen ausgemacht werden – diese müssen jedoch vom Management extra genehmigt werden.
Nach der ersten Kontaktaufnahme über die Infoseite der AT&S Homepage und dem Entschluss des Dritten die Anlage zu verwenden ist es zwingend notwendig eine Verschwiegenheitsvereinbarung abzuschließen, bei dem der Zweck und Umfang genau definiert werden.
Je nach Wunsch der Interessenten können 2 Szenarien entstehen: Der Dritte stellt Testvehikel / Prototypen selbst zur Verfügung, es werden nur die F&E physikalische Dünnschichtanlage verwendet und nach der Prozessierung werden die Testvehikel / Prototypen zur weiteren Verarbeitung zurückgeschickt oder AT&S wird mit der Fertigung eines Testvehikels/Prototypen beauftragt, bei der die F&E physikalische Dünnschichtanlage als zentraler Fertigungsbestandteil verwendet wird.
Je nach Entwicklungstand der F&E Anlage stehen dem Interessenten jeweils die freigegebenen Prozesse zur Verfügung.
Ein Mitarbeiter des Interessenten darf während des Prozessierens seiner beauftragten bzw. gewünschten Prototypen mit der F&E Anlage anwesend sein – und den Prozess begleiten/beobachten. Während des Aufenthaltes in der Fertigung dürfen keine Audio-, Foto-oder Videoaufnahmen gemacht werden.
Prozessparameter werden nicht preisgegeben außer es handelt sich um eine gemeinsame Entwicklung, der ein Entwicklungsvertrag zugrundliegt.
Sollte der Dritte über keine oder eine nicht ausreichende Laborausstattung verfügen, kann diese extra mitbeauftragt werden, um Analysen durchzuführen. Sollten diese nicht intern abgedeckt werden können, werden externe Angebote eingeholt.