CEST Centre for Electrochemistry and Surface Technology GmbH
Wiener Neustadt | Website
Short Description
Bei der Rasterelektronenmikroskopie werden anstelle von Licht Elektronenstrahlen zur Erzeugung der Bilder verwendet. Dadurch wird ein deutlich höheres Auflösungsvermögen erreicht. Aus einer Elektronenquelle emittierte Elektronen werden zu einem feinen Strahl gebündelt. Dieser Strahl bewegt sich in einem genau definierten Raster über die Probenoberfläche. Die durch die Wechselwirkung mit dem Primärstrahl von der Probenoberfläche emittierten Elektronen werden von Detektoren aufgefangen und in ein Bild umgewandelt. Die Abbildung mit Sekundärelektronen (SE) ermöglicht die Darstellung der Topographie der Probenoberfläche; die Abbildung mit Rückstreuelektronen (BSE) liefert zusätzlich noch Information über die unterschiedliche Zusammensetzung der Probenoberfläche (im BSE Modus: helle Stellen – schwerere Elemente, dunkle Stellen – leichtere Elemente).
Die Elementbestimmung ausgewählter Bereiche der Proben kann mit einem energiedispersiven EDX System TEAM OCTANE PLUS Version. 4.3 von Fa. EDAX mittels Flächen- sowie Punktanalyse durchgeführt werden. Diese Methode ermöglicht die qualitative und standardlose quantitative Analyse von Elementen, jedoch nicht die Bestimmung der chemischen Verbindungen.
Contact Person
Univ.Prof. Dipl.-Ing. Dr.techn. Markus Valtiner
Research Services
Oberflächentopographie und Oberflächenstruktur
Oberflächenrauhigkeiten
Unterschiedliche Elementzusammensetzung
Bruchflächencharakterisierung
Teilchengrößenbestimmung von Pulvern
Gefügeuntersuchungen
Korngrößenverteilung
Phasenanalyse
Ausscheidungsidentifikation
Schichtdickenbestimmung, Schichtstrukturanalyse
Elementanalyse (EDX)
- Elementenbestimmung an der Oberfläche (ab Bor)
- (Semi)quantitative Analyse
- Elementeverteilung entlang der Linie (Line scan) oder von Flächen (mapping)
EBSD (Electron Back Scattered Diffraction)
- Phasen- und Kornbestimmung (Auflösung ca. 100nm)
- Texturmessung an sehr dünnen Schichten
Methods & Expertise for Research Infrastructure
Beim EBSD (Electron Back Scattered Diffraction) wird die Probenoberfläche mit einem fokussierten Elektronenstrahl abgerastert. Die rückgestreuten und an den Netzebenen der Probe gebeugten Elektronen treffen auf einen Leuchtschirm und erzeugen ein Muster von Kikuchi-Linien, das mittels CCD-Kamera erfasst wird. Daraus wird mit Hilfe von OIM Software automatisch die Kristallorientierung berechnet. Das Rückstreusignal stammt aus einer Tiefe von wenigen Nanometern, so dass stets die oberflächennahe Kristallorientierung ermittelt wird. Als Ergebnis bekommt man dann Kristallorientierungen an jedem Punkt der Probenoberfläche mit einer Ortsauflösung von ca. 50-100 nm, was in der Form von Karten (mapping) dargestellt werden kann. Es können dabei mehrere Phasen detektiert werden. Typische Anwendungsbeispiele für diese Technik sind z. B. Phasen-, Orientierungs-, Kristallitgrößen-, Texturbestimmungen.